碳化硅（SiC）即使在高達1400°C的溫度下也可以保持其強度。這種材料的明顯特征是熱和電半導(dǎo)體具有極高的電導(dǎo)率。
碳化硅的化學和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性都很高。在陶瓷材料中，它是具有良好高溫強度的材料。
在所有非氧化物陶瓷中，抗氧化性也是最好的。它是一種極好的陶瓷材料。
碳化硅（SiC）的市場前景隨著信息技術(shù)的迅速發(fā)展，我國對半導(dǎo)體的需求正在增長。我國已成為世界上最大的半導(dǎo)體消費國，半導(dǎo)體消費量占全球消費量的40％以上。
以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子設(shè)備目前是電力電子領(lǐng)域中增長最快的電力半導(dǎo)體設(shè)備之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模達到7562億元，同比增長15.77％。
2020年上半年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額將達到3539億元，同比增長16.1％。碳化硅（SiC）的應(yīng)用作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，碳化硅（SiC）也是目前最成熟且使用最廣泛的寬間隙半導(dǎo)體材料之一。
碳化硅（SiC）陶瓷材料本身具有出色的半導(dǎo)體性能，在各種現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要的創(chuàng)新作用。它是在高溫，高頻，抗輻射和高功率應(yīng)用下的理想半導(dǎo)體材料。
由于碳化硅功率器件可以顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被稱為“綠色能源器件”。推動了“新能源革命”。
在各種電機系統(tǒng)的高壓應(yīng)用領(lǐng)域，采用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件具有明顯的功耗降低效果，極大地減少了設(shè)備的發(fā)熱，并減少了高達92％的開關(guān)損耗。以及設(shè)備的冷卻進一步簡化了機構(gòu)，使設(shè)備小型化，并且大大減少了用于散熱的金屬材料的消耗。
半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域中的碳化硅（SiC）在大功率LED中具有很大的優(yōu)勢。使用碳化硅（SiC）陶瓷基板的LED在這段時間內(nèi)具有更高的亮度，更低的能耗，更長的使用壽命以及更小的單位芯片面積。
。新能源汽車新能源汽車行業(yè)要求逆變器處理高強度電流，其可靠性遠遠超過普通工業(yè)逆變器。
它具有更好的散熱性，高效率，耐高溫性和高可靠性。硅（SiC）陶瓷基板完全滿足新能源汽車的要求。
碳化硅（SiC）陶瓷基板的小型化可以大大減少新能源汽車的功率損耗，因此它們?nèi)匀豢梢栽诟鞣N惡劣的環(huán)境下正常工作。碳化硅襯底不僅在新能源汽車的節(jié)能中起著重要作用，而且在高鐵，太陽能光伏，風能，電力傳輸，UPS不間斷電源和很快。