
低干擾圓片電容
電容范圍:100pF 至 4700pF
電容容差 : ±10%
工作溫度范圍 : -25°C ~ +125°C
額定電壓 : 1K, 2K VDC
耗散因數(shù)(tan δ) : LR: tan δ≤0.2%
絕緣電阻 (IR)@25°C : 最小 10000MΩ 或 200MΩμF 以較小者為準 (500VDC, 60sec)
介電強度 : 額定 WVDC 的 2 倍
測試參數(shù):1KHz ±20%, 1.0Vrms±0.2Vrms
電容范圍:100pF 至 4700pF
電容容差 : ±10%
工作溫度范圍 : -25°C ~ +125°C
額定電壓 : 1K, 2K VDC
耗散因數(shù)(tan δ) : LR: tan δ≤0.2%
絕緣電阻 (IR)@25°C : 最小 10000MΩ 或 200MΩμF 以較小者為準 (500VDC, 60sec)
介電強度 : 額定 WVDC 的 2 倍
測試參數(shù):1KHz ±20%, 1.0Vrms±0.2Vrms
低干擾圓片電容是一種專為減少電磁干擾(EMI)而設(shè)計的電子元件。它們通常應(yīng)用于需要高穩(wěn)定性和低噪聲的電路中,特別是在音頻設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及...